碳化硅晶片是一种新式的半导体资料,由碳和硅组成,具有高温、高压、高频、高功率等特性。
化学功能安稳、导热系数高、热线胀系数小、耐磨功能好、高热导性、高溃散电场强度及高最大电流密度。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级),具有优异的导热功能,是一种半导体,高温时能抗氧化。
碳化硅至少有70种结晶型态。其3.2g/cm3的比重及较高的提高温度(约2700°C),在任何已能到达的压力下,它都不会熔化,且具有适当低的化学活性。
电力电子范畴:碳化硅晶片具有高电压、高温、高功率的特色,可用于电力电子设备的制作。比方,电力变换器、电动汽车驱动体系、太阳能、风能等范畴中的逆变器和整流器。
射频和微波范畴:碳化硅晶片具有较高的频率特性,可用于高频、高速的射频和微波使用。比方,无线通讯、雷达、微波烤箱等范畴的功率放大器、低噪声放大器、射频开关等。
光电子范畴:碳化硅晶片具有优异才能的光电功能,可用于LED照明、激光器等光电器材的制作。
红外勘探器范畴:碳化硅晶片在红外勘探器方面也有广泛的使用。它能够在高温条件下作业,而且具有较高的勘探灵敏度和分辨率,因而适用于军事、安防、航天等范畴。
总归,碳化硅晶片具有广泛的使用远景,在未来的高科技范畴中将发挥及其重要的效果。

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