深圳天狼芯半导体请求半超结碳化硅 MOS 器材专利进步器材的抗短路才能

  金融界 2024 年 10 月 24 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，深圳天狼芯半导体有限公司请求一项名为“半超结碳化硅 MOS 器材及其制备办法、芯片”的专利，公开号 CN 118800809 A，请求日期为 2024 年 9 月。

  专利摘要显现，本请求归于功率器材技术领域，供给了一种半超结碳化硅 MOS 器材及其制备办法、芯片，经过在 N型漂移层的左侧部上设置 P 型阱区，在 N 型漂移层的右侧部上设置 P 型重掺杂区，N 型漂移层的凹槽内构成绝缘介质柱，且由 P 型屏蔽区将绝缘介质柱与 N 型漂移层阻隔，不影响器材的漏源击穿电压情况下，能够答应 N 型漂移层具有较高的掺杂浓度，使得器材可具有较优的比导通电阻，一起，P 型屏蔽区能够钳位饱和电流，在不影响导通电阻的情况下进步器材的抗短路才能。

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