电子职业深度：碳化硅快速地添加的前夕：功率浸透率提高与AI+AR双轮驱动

  碳化硅（SiC）成为驱动技能晋级与功率革新的要害支撑。作为第三代宽禁带半导体中心资料，凭仗禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱满漂移速度快等杰出功能，正全面浸透新能源、AI、通讯、AR四大高添加工业，其使用场景从功率器材延伸至散热资料、光学基底等范畴，需求呈迸发式添加，职业行将进入快速地发展期。

  在新能源范畴，SiC是完成高效节能的中心器材，咱们估计2030年，全球“新能源车+充电桩+光储”对碳化硅衬底（6寸当量，若非特别阐明，下同）的需求量约577万片，CAGR~36.7%。新能源轿车范畴，800V高压渠道逐渐遍及，2025年浸透率已达11.17%，SiC MOSFET使用于主驱逆变器、DC-DC转换器等中心部件，可使整车能耗下降8%-10%。咱们测算得，2030年全球新能源车范畴SiC衬底需求达432万片，我国328万片。高压直流充电桩方面，方针推动下2027年将建成10万台大功率充电桩，SiC凭仗耐高压特性成为合格要害，2030年全球SiC衬底需求51万片，我国29万片。光储范畴，SiC将提高光伏逆变器与储能变流器功率，2030年全球碳化硅衬底需求94万片，我国30万片。

  AI工业中，SiC迎来“功率+散热”两层添加机会。数据中心方面，算力提高推动机柜功率密度飙升，SiC使用于UPS、HVDC、SST等电源设备，2030年全球电源范畴衬底需求73万片，我国20万片。一起，SiC作为先进封装散热资料，处理GPU高发热难题，2030年全球AI芯片中介层所需衬底需求约620万片，我国173万片；若在现存技能途径下，CoWoS工艺中，基板和热沉资料也选用SiC，则AI芯片散热范畴衬底空间将添加2倍。

  通讯射频范畴，5G-A与6G推动射频器材晋级，GaN-on-SiC计划凭仗优异散热与高频功能成为干流。2030年全球射频用半绝缘型SiC衬底需求量达17万片，我国占比60%，约10万片。

  2030年全球AR眼镜范畴衬底需求389万片，我国137万片。AR工业中，SiC高折射率特性使其成为光波导片抱负基底，可扩展视场角、处理彩虹纹问

  需求端的全面迸发推动职业规划快速扩张，估计2027年碳化硅衬底供需紧平衡，乃至存在呈现产能供应严重的可能性；2030年，全球1676万片的衬底需求量，较2025年的供应，存在约1200万片的产能缺口。其间，AI中介层、新能源轿车、AR眼镜是三大中心添加点，咱们估计到2030年需求占比分别为37%、26%、23%；其间SiC在AI芯片先进封装散热资料的运用上，若能完成在“基板层”、“中介层”和“热沉”三个环节的工业化，2030E，全球碳化硅衬底需求量有望抵达约3000万片。

  1、中美交易冲突加重，供应链进一步受限的危险；2、下流需求没有抵达预期；3、产品研制、技能迭代与商场推动没有抵达预期，如SiC作为先进封装的散热资料，中介层、基板和热沉三方面均处于研制阶段，技能道路没有彻底确认，危险较高；4、职业竞赛加重。