天成半导体霸占12英寸碳化硅“双道路”难题

  11月20日，记者从太原中北高新技能工业开发区得悉，该区企业山西天成半导体资料有限公司继本年成功研制12英寸导电型碳化硅单晶资料后，依托自主研制设备，又霸占12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶资料技能难关，完成大尺度碳化硅中心资料双技能道路的重大打破。

  天成半导体成立于2021年8月，是太原中北高新技能工业开发区培养的高新、专精特新技能企业模范。依托区域杰出的立异生态，企业已构建完好自主知识产权技能系统，斩获多项专利软著，其长晶设备获欧盟CE认证，企业更经过IATF16949车规质量管理系统认证，为产品进入高端商场奠定坚实基础。

  现在，该企业已构成“配备+耗材+工艺服务”一体化解决方案才能，首先完成8英寸至12英寸导电型与半绝缘型碳化硅单晶资料可量产化。12英寸导电型碳化硅单晶资料晶体有用厚度已打破35毫米，自主研制的长晶设备可产出直径达350毫米的单晶资料，更构成了12英寸高纯半绝缘与N型单晶成长双老练工艺系统。

  这一系列效果的获得，源于企业对中心技能的继续攻坚，其先后霸占大尺度扩径工艺、低缺点单晶成长工艺等技能瓶颈，构建起从长晶设备制作、粉料制备、热场石墨组件制备到晶体加工的全流程自主可控生产线，产品质量到达世界领先水平。

  近年来，太原中北高新技能工业开发区经过构建完善立异生态、强化要素保证，推动半导体工业集群化开展，培养出一批把握中心技能的优质企业，此次天成半导体的技能打破，是其深耕半导体工业、强化立异驱动的生动缩影。中北高新区将继续为公司能够供给全生命周期服务，支撑天成半导体等企业推动技能工业化落地，加快构建新鼓起的工业集聚区，助力半导体工业自主可控开展。（记者范珉菲）