剖析650V碳化硅MOSFET和GaN器材在家储使用的优劣势

  较高（但受限于 QG=60nC）极高（QG=16nC，Qrr=0）GaN高频功能更优，合适高频拓扑。

  高温安稳性RDS(on)随温度升幅小，Tj=175°C仍安稳高温下 RDS(on)明显地添加（55mΩ@150°C）SiC高温功能更优，合适长期运转。在高压开关过程中，GaN器材的导通电阻因圈套电荷效应明显地添加，导致额定导通损耗和发热，或许引发热失控

  反向恢复特性存在反向恢复电荷（Qrr=100nC）Qrr=0（无反向恢复损耗）GaN在软开关拓扑中功率更高。

  耐压与鲁棒性 SiC雪崩才能强，支撑瞬态过压。 GaN无雪崩才能，依靠外部维护. SiC更习惯电压动摇，牢靠性高。

  高频低损：零反向恢复电荷和低开关损耗，合适高频LLC或图腾柱PFC拓扑。

  栅极退化或许会引起阈值电压漂移（如负漂移引发误敞开）或直接击穿，形成器材短路焚毁.

  MHz级开关下，PCB寄生电感（几nH）引发电压振动，导致栅极过压或驱动电路焚毁.

  高温安稳性需求：家用储能体系需在高温环境下长期运转（如房顶光伏逆变器），SiC的高温 RDS(on) 增幅远小于GaN，功率更安稳。

  体系牢靠性优先：家用储能对寿数和安全性要求极高，SiC的雪崩才能和抗电压尖峰特性削减毛病危险。

  技能老练度：SiC在650V-1200V中压范畴工艺更老练，而GaN优势会集在低压（400V），高压GaN良率仍低。

  高频、小功率场景（如DC-DC模块）：GaN仍有优势，但需处理高温牢靠性问题。

  大功率、高牢靠性场景（如储能逆变器）：国产SiC凭仗本钱、高温功能、鲁棒性全面碾压，成为干流挑选。

  代替趋势：跟着国产SiC工艺前进（如BASiC根本股份第三代碳化硅MOSFET技能），其高频功能短板逐步补偿，加快替代高压GaN。回来搜狐，检查更加多