低压碳化硅mos管docx

  低压碳化硅MOS管的首要资料是碳化硅（SiC），它是一种有很高的热导率、较低的热膨胀系数和较高的硬度的半导体资料。在高温环境下，它的功能更为杰出。

  低压碳化硅MOS管的结构类似于传统的硅MOS管，它由源极、漏极、栅极和绝缘层组成。其间，碳化硅资料用于制造源极和漏极，而栅极和绝缘层则由传统的硅资料制成。

  1.更高的开关速度：因为碳化硅资料的高电子迁移率和短载流子寿数，低压碳化硅MOS管的开关速度比传统硅MOS管更快。

  2.更低的导通电阻：碳化硅资料的导电功能更好，因而低压碳化硅MOS管的导通电阻也更小。

  3.更高的耐温功能：碳化硅资料的耐热性非常好，能接受更高的作业时分的温度，因而低压碳化硅MOS管的耐温功能更好。

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