碳化硅MOSFET优势剖析 详细有哪些优势详解-KIA MOS管

  MOSFET的本征二极管有着和SiC肖特基二极管相似的快康复特性。25℃时，它的Qrr和相同电流等级的G5 SiC 二极管近乎持平。可是，反向康复时间及反向康复电荷都会随结温的添加而添加。从图3(a)中咱们咱们能够看出，当结温为175℃时，CoolSiC? MOSFET 的Qrr略高于G5 肖特基二极管。图3(b)比较了650V 41mΩ Si MOSFET 本征二极管和CoolSiCMOSFET 本征二极管的功能。在常温及高温下，1200V CoolSiCMOSFET 体二极管仅有Si MOSFET 体二极管Qrr的10%。

  咱们现已了解到，SiC资料虽然在击穿场强、热导率、饱满电子速率等方面比较于Si资料有着肯定的优势，可是它在构成MOS（金属-氧化物-半导体）结构的时分，SiC-SiO2界面电荷密度要远大于Si-SiO2，这样构成的结果便是SiC外表电子迁移率要远低于体迁移率，从而使沟道电阻远大于体电阻，成为器材通态比电阻巨细的主要成分。可是，外表电子迁移率在不同的晶面上有所区别。现在常见的SiC MOSFET 都是平面栅结构，Si-面上构成导电沟道，缺点较多，电子迁移率低。英飞凌CoolSiCTMMOSFET 选用Trench 沟槽栅结构，导电沟道从水平的晶面搬运到了竖直的晶面，大幅度的提升了外表电子迁移率，使器材的驱动更简单，寿数更长。

  SiC MOSFET在阻断状态下接受很高的电场强度，关于Trench 器材来说，电场会在沟槽的转角处会集，这里是MOSFET耐压规划的一个薄缺点。

  a）为了与便利替换现在的Si IGBT，CoolSiCTMMOSFET 引荐驱动电压为15V，与现在Si 基IGBT驱动需求兼容。CoolSiCTMMOSFET典型阈值电压4.5V, 高于市道常见的2~3V的阈值电压。比较高的阈值电压能够尽可能的避免门极电压动摇引起的误触发。

  b）CoolSiCTMMOSFET 有优化的米勒电容Cgd 与栅源电容Cgs 比值，在按捺米勒寄生导通的一起，统筹高开关频率。

  c）大面积的深P阱能够用作快康复二极管，具有极低的Qrr 与杰出的鲁棒性。

  d）CoolSiCTMMOSFET供给芯片，单管，模块多种产品。单管有TO-247 3pin 和 TO-247 4pin，开尔文接法能够有用的防备米勒寄生导通，并削减开关损耗。模块有EASY1B,EASY 2B, 62mm 等等, 能够掩盖多种功率等级使用。模块选用低寄生电感规划，为并联规划优化，使PCB 布线更简单。

  综上所述，CoolSiCTMMOSFET是一场让人服气的技术革命，凭仗它的共同结构和精心规划，它将带给用户一流的体系功率，更高的功率密度，更低的体系本钱。