蓉矽半导体请求碳化硅异质结别离栅MOSFET专利下降器材的导通电阻

  金融界2024年10月31日音讯，国家知识产权局信息数据显现，成都蓉矽半导体有限公司请求一项名为“一种碳化硅异质结别离栅MOSFET及其制备办法”的专利，公开号CN 118841434 A，请求日期为2024年6月。

  专利摘要显现，本发明供给了一种碳化硅异质结别离栅MOSFET及其制备办法，触及MOSFET 器材技术领域，MOSFET中部包含多个P型掺杂碳化硅源区、多个P型掺杂碳化硅埋层、多个P型掺杂硅源区、多个P型掺杂硅井区、多个N型掺杂硅源区、多个P型掺杂不定型硅、N型掺杂不定型硅和N型硅外延层；反面金属、N型碳化硅衬底和N型碳化硅外延层设置于MOSFET底部；榜首多晶硅栅第二多晶硅栅层间介质和源极金属设置于MOSFET顶部意图是完成下降器材的导通电阻，本发明具有在充沛下降密勒电容的一起确保了器材的长时间可靠性一起有效地下降体二极管的导通损耗的长处，并能防止由碳化硅材猜中的BPD缺点带来的体二极管退化问题。