中证网讯(记者 于毛毛)12月6日,我国证券报记者从三安光电(600703)子公司三安集成得悉,该公司近期宣告已完结碳化硅MOSFET器材量产渠道的打造。首发1200V 80mΩ产品已完结研制并经过一系列产品功能和可靠性测验,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等使用领域,有助于减小体系体积,下降体系功耗,提高电源体系功率密度。现在多家客户处于样品测验阶段。
据不完全统计,2020年有8家企业方案出资总计超越430亿元,碳化硅、氮化镓资料半导体建造项目呈现“井喷”。三安集成表明,“良性竞赛有助于产业链上下游协同开展,咱们会加速新产品的推出速度和产能建造,以便坚持先发优势。”据悉,三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后,已完结了从650V到1700V的产品线布局,并累计出货达百余万颗,器材的高可靠性取得客户共同好评。
三安集成方面介绍,本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET,与传统的硅基IGBT功率器材比较,宽禁带碳化硅资料具有“更高、更快、更强”的特性——更高的耐压和耐热、更快的开关频率,更低的开关损耗。优异的高温文高压特性使得碳化硅MOSFET在大功率使用中表现出色,尤其是高压使用中,在相同的功率下,碳化硅MOSFET本身器材损耗小,极大减小了器材的散热需求,使体系朝着小型化,轻量化,集成化的方向开展。这对“寸土寸金”的电源体系来说至关重要,比方新能源车载充电器OBC、服务器电源等。
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