SiC晶圆国产化的背面功臣陈小龙院士中选中科院院士

  近期，充电头网得悉，我国科学院物理研讨研讨员陈小龙因为在第三代半导体资料范畴的继续奉献，于2025年11月21日正式中选我国科学院院士，成为我国资料科学范畴又一重要代表人物。

  在全球第三代半导体竞赛加重的年代，中科院院士陈小龙带领团队成功在碳化硅晶体成长、宽禁带半导体资料立异、晶体资料开发等范畴做出系统性奉献，完成了多项科研打破，推进效果走向工业化，为我国半导体战略资料自主可控奠定了坚实基础。

  碳化硅为第三代半导体资料的中心资料，长时间面对晶体成长难度高、设备依靠进口等瓶颈。为处理这些卡脖子问题，陈小龙带领团队在长时间研讨中获得了一系列原创打破。

  陈小龙院士提出电场-磁场-热场耦合晶体成长办法，改进了晶体的热场散布与成长安稳性，打破了大尺度SiC晶体扩径难题，树立固-液界面能调控成长机制，经过助溶剂规划成功在异质籽晶上外延3C-SiC，处理立方相碳化硅难以大尺度成长的技能壁垒。

  他带领团队首先制备3C-SiC晶体，质量到达可实践使用水平，并在界面态密度等要害指标上获得开展，并高效推进碳化硅资料国产化进程，使我国在SiC衬底范畴完成从无到有、从跟跑到打破。

  这些效果提升了我国在第三代半导体资料方面的自主发明新式事物的才能，为新能源轿车、储能、功率器材等工业的开展供给了要害支撑。

  于此一起，陈小龙不仅在基础研讨中获得杰出效果，更活跃推进资料效果工业化，主导树立国内抢先的碳化硅晶体出产系统，进步国产SiC资料的质量与供给才能。经过“完善基础研讨——技能攻关——工艺验证——工业落地”全链条，为我国半导体供给链供给支撑。

  现如今，陈小龙在国际资料科学界具有广泛影响力，累计在Nature Chemistry、Phys. Rev. Lett.、JACS等期刊宣布论文470余篇，累计引证超越13,600次，单篇最高引证超越 1100 次。并具有70余项发明专利，并参加拟定3项国家标准。陈小龙在学术效果产出、人才教育训练以及推进学术方向开展等方面均做出了杰出奉献。

  近20余年来，陈小龙凭仗“含义严重、组成工业高质量开展“两统筹的理念，从带领团队零开端SiC单晶资料国产化研讨，成功打破SiC外延片成长环节难题，终究完成8英寸SiC晶体的安稳成长，成功打破该范畴“卡脖子”难题，加快我国宽禁带半导体开展脚步，促进有关职业走线国际前列。本次陈小龙中选中科院院士可谓是实至名归，值得职业铭记。回来搜狐，检查更加多